SCT20N120

功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

制造商:stmicroelectronics

系列:-

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:碳化硅 (SiC)

漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 10A,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 400V

功率 - 最大值:175W

工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:HiP247?

标准包装:30

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